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一种基于TiO2/ReS2异质结自整流忆阻器阵列及其制备方法和应用 

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摘要:本发明提供一种基于TiO2ReS2异质结自整流忆阻器阵列的制备方法及其应用。所述忆阻器阵列中单个器件的结构由下至上依次为FTO导电衬底、TiO2ReS2异质结功能层和Au顶电极。本发明首次使用二氧化钛二硫化铼作为忆阻器的功能层,TiO2作为忆阻器功能层的经典材料其具有良好的阻变和突触特性。与ReS2复合形成异质结之后改变器件的能带结构,提升器件的自整流性能。此特性可以抑制大规模交叉开关阵列中的潜行电流效应,极大地提高阵列的集成度,大幅降低阵列的功耗。

主权项:1.一种基于TiO2ReS2异质结自整流的忆阻器阵列,其特征在于,所述基于TiO2ReS2异质结自整流的忆阻器阵列的最下层为导电玻璃,所述导电玻璃的导电面上设置有二氧化钛层,所述二氧化钛层上设置有二硫化铼层;所述二氧化钛层与所述二硫化铼层形成异质结结构,所述二硫化铼层上设置有若干互不相连的金电极;每个所述金电极与位于此金电极正下方,且被此金电极所覆盖的二硫化铼层的区域、二氧化钛层的区域、导电玻璃的区域组成一个忆阻器。

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百度查询: 杭州电子科技大学 一种基于TiO2/ReS2异质结自整流忆阻器阵列及其制备方法和应用

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