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摘要：本发明涉及一种适用于IGBT驱动芯片的电平位移结构，具体涉及一种高速低功耗的电平位移电路，以电流镜结构为基础进行优化，通过电流镜交叉和增加脉冲控制电路的方式解决了传统结构不能兼顾功耗和速度的问题；包括输入级、核心转换电路和输出级组成；输入级的输入信号经三级反相器的整形产生一对反相信号，该信号控制高压NMOS管HV_N1和高压NMOS管HV_N2的开启和关断；核心转换电路由交叉电流镜和脉冲控制电路组成；脉冲控制电路通过电容充放电产生脉冲信号控制电流镜中电流通路的开启和关断，锁存器将电流镜的输出高电平进行锁存，同时改变电容充放电状态；在电流镜结构的基础上进行优化，保留了电流镜结构高速的优点。
主权项：1.一种高速低功耗的电平位移电路，其特征在于，包括输入级、核心转换电路和输出级组成；输入级的输入信号经三级反相器的整形产生一对反相信号，该信号控制高压NMOS管HV_N1和高压NMOS管HV_N2的开启和关断；核心转换电路由交叉电流镜和脉冲控制电路组成；脉冲控制电路通过电容充放电产生脉冲信号控制电流镜中电流通路的开启和关断，锁存器将电流镜的输出高电平进行锁存，同时改变电容充放电状态。
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百度查询： 无锡中微爱芯电子有限公司 一种高速低功耗的电平位移电路
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