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摘要:本发明公开一种静态随机存取存储器SRAM的布局图案,包含一基底,多个鳍状结构与多个栅极结构位于基底上,以组成多个晶体管,其中多个晶体管包含有一第一上拉晶体管PU1、一第一下拉晶体管PD1、一第二上拉晶体管PU2、一第二下拉晶体管PD2、一第一存取晶体管PG1A、一第二存取晶体管PG1B、一第三存取晶体管PG2A以及一第四存取晶体管PG2B。一第一字线接触垫,连接第一存取晶体管PG1A的一栅极以及一第一字线,以及一第二字线接触垫,连接第二存取晶体管PG1B的一栅极以及一第二字线,其中第一字线接触垫与第二字线接触垫在垂直方向上不重叠。
主权项:1.一种静态随机存取存储器staticrandom-accessmemory,SRAM的布局图案,包含:基底;多个鳍状结构位于该基底上,各该鳍状结构沿着第二方向Y方向延伸;多个栅极结构位于该基底上,各栅极结构沿着第一方向X方向延伸,并且横跨该多个鳍状结构以组成多个晶体管,其中该多个晶体管包含有第一上拉晶体管PU1、第一下拉晶体管PD1、第二上拉晶体管PU2、第二下拉晶体管PD2、第一存取晶体管PG1A、第二存取晶体管PG1B、第三存取晶体管PG2A以及第四存取晶体管PG2B;第一字线接触垫,连接该第一存取晶体管PG1A的栅极以及第一字线;以及第二字线接触垫,连接该第二存取晶体管PG1B的栅极以及第二字线,其中该第一字线接触垫与该第二字线接触垫在该第二方向上不重叠。
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百度查询: 联华电子股份有限公司 静态随机存取存储器的布局图案
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