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摘要：本发明公开了一种氮化镓二维电子气沟道侧壁自旋注入信息器件结构及制备方法，属于半导体信息器件技术领域。其结构包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层、铁磁层、C1电极层、C2电极层、钝化层和电极窗口。其制备方法包括：衬底准备；外延生长；刻蚀；电极生长；铁磁生长；电极生长；表面钝化；开窗引线。本发明提供的一种氮化镓二维电子气沟道侧壁自旋注入信息器件结构及制备方法，可使得器件实现超高速信息传输和存储；无需额外极薄绝缘层薄膜，铁磁材料与异质结二维电子气沟道侧壁直接接触从而实现高效自旋注入，利用二维电子气本身的低电阻率提高与侧壁铁磁材料的阻抗匹配度，同时显著降低工艺复杂度。
主权项：1.氮化镓二维电子气沟道侧壁自旋注入信息器件结构，其特征在于，结构为双电极自旋信息器件，自下到上结构包括衬底层，所述衬底层的上方与缓冲层连接，所述缓冲层的上方与沟道层连接，所述沟道层的上方与势垒层连接，所述势垒层和沟道层的一侧连接有C1电极层，所述势垒层和沟道层的另一侧侧壁连接有铁磁层，所述铁磁层的一侧连接有C2电极层，所述势垒层的上方连接有钝化层，所述C1电极层和所述C2电极层的上方均设置有电极窗口。
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百度查询： 大连理工大学 氮化镓二维电子气沟道侧壁自旋注入信息器件结构及制备方法
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