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摘要：本发明适用于集成电路技术领域，提供了一种基于LDO芯片的电流折返结构的折返点调整方法，包括以下步骤：步骤1、设计基础电路结构，包括限流控制电阻R3；步骤2、引入PMOS管，具体步骤为：根据电路需求选择一个合适的PMOS管，PMOS管的阈值电压和导通特性与电路兼容；在电阻R3的两端并联一个PMOS管。本发明通过在限流控制电阻两端以二极管形式并联一个PMOS管，利用其在采样电流大时导通，采样电流小时关闭的状态，分担部分电流，从而可以通过合理设置PMOS管的宽长比来改变电流折返点的位置，进而控制预设限流电流和短路电流的比例关系，在维持较小的短路电流的同时，能够设置更大范围的限流电流。
主权项：1.一种基于LDO芯片的电流折返结构的折返点调整方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、设计基础电路结构，所述基础电路结构包括限流控制电阻R3；步骤2、引入PMOS管，所述步骤2的具体步骤如下：步骤21、选择并配置PMOS管：根据电路需求选择一个合适的PMOS管，PMOS管的阈值电压和导通特性与电路兼容；步骤22、连接PMOS管：在电阻R3的两端并联一个PMOS管，当PMOS管导通时，PMOS管通过分担部分电流的方式减小通过电阻R3的电流。
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百度查询： 无锡靖芯科技有限公司 一种基于LDO芯片的电流折返结构的折返点调整方法
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