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摘要：提供了一种薄膜晶体管和晶体管阵列基底，所述薄膜晶体管包括：基底；半导体层，设置在基底上并且包括沟道区、连接到沟道区的一侧的第一导电区域和连接到沟道区的另一侧的第二导电区域；栅极绝缘层，覆盖半导体层中的除第一导电区域和第二导电区域之外的区域；栅电极，设置在栅极绝缘层上并在平面图中与沟道区叠置；以及第一电极，在沟道区的一侧设置在栅极绝缘层上并与第一导电区域的一部分接触。第一电极的面对栅电极的第一边缘在平面图中与栅极绝缘层的第一边缘倾斜地相交。
主权项：1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：基底；半导体层，设置在所述基底上并且包括沟道区、连接到所述沟道区的一侧的第一导电区域和连接到所述沟道区的另一侧的第二导电区域；栅极绝缘层，覆盖所述半导体层中的除所述第一导电区域和所述第二导电区域之外的区域；栅电极，设置在所述栅极绝缘层上并且在平面图中与所述沟道区叠置；以及第一电极，在所述沟道区的所述一侧设置在所述栅极绝缘层上并且与所述第一导电区域的一部分接触，其中，所述第一电极的面对所述栅电极的第一边缘在平面图中与所述栅极绝缘层的第一边缘倾斜地相交。
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