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摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有逆阻功能的高K氧化镓功率MOSFET器件。本发明在栅极结构和漏区部分嵌入P型氧化物半导体层，并在栅极P型氧化物半导体层上表面、栅极与源极之间以及漂移区内部引入了高K介质。该P型氧化物半导体和氧化镓沟道形成的PN异质结产生的耗尽区，能夹断栅下和漏端P型氧化物半导体周围的氧化镓沟道，使器件实现增强型又具备逆向阻断能力。同时该结构的高K介质既能防止栅极漏电，提高栅压摆幅，也能辅助耗尽漂移区，增强器件正向阻断能力。在工艺方面：栅极下方和漏极左侧P型氧化物半导体层可同步形成，且栅极金属的淀积和器件漏极第二层金属的淀积可以在同一步工艺下实现，无需增加额外的掩膜板和工艺步骤。

主权项：1.一种具有逆阻功能的高K氧化镓功率MOSFET器件，包括沿器件垂直方向自下而上依次层叠设置的氧化镓衬底层1、氧化镓缓冲层2、氧化镓外延层3；其特征在于，在氧化镓外延层3上表面沿器件横向方向从左至右依次具有源区、栅极结构、漂移区、漏区；所述漏区由漏极N+区12、位于漏极N+区12上表面的第一导电材料10、紧临漏极N+区12和第一导电材料10左侧的第一P型氧化物半导体层11以及覆盖于第一导电材料10和第一P型氧化物半导体层11上表面的第二导电材料9组成；所述第一P型氧化物半导体层11下方嵌入氧化镓外延层3；所述第二导电材料9的引出端为漏电极；所述源区由源极N+区4以及位于源极N+区4上表面的第三导电材料7组成，所述第三导电材料7引出端为源电极；所述第一导电材料10和第三导电材料7与半导体的接触类型为欧姆接触；所述栅极结构位于源区右侧的氧化镓外延层3上表面且与源区之间有距离，栅极结构由第二P型氧化物半导体层6、高K介质5和第四导电材料8组成；所述第二P型氧化物半导体层6下部嵌入氧化镓外延层3，上部被高K介质5完全覆盖，高K介质5覆盖第二P型氧化物半导体层6的部分形成凸起，高K介质5的左侧向左延伸至与第三导电材料7接触，第四导电材料8位于第二P型氧化物半导体层6上方的高K介质5上表面，第四导电材料8的左侧延伸至将高K介质5凸起的部分完全覆盖；第二P型氧化物半导体层6与第一P型氧化物半导体层11之间的部分为漂移区，沿器件纵向方向，漂移区的氧化镓外延层3中具有间隔设置的多个沟槽，即沟槽的一端为第二P型氧化物半导体层6，另一端为第一P型氧化物半导体层11，高K介质5的右侧向右延伸至与第一P型氧化物半导体层11接触，覆盖整个漂移区，并且覆盖后的漂移区在纵向方向依然具有对应的多个沟槽；第四导电材料8的右侧与左侧同理，将高K介质5凸起的部分完全覆盖，对应多个沟槽，第四导电材料8的底部延伸入沟槽中与沟槽底部接触，第四导电材料8引出为栅电极。

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