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摘要：本发明提供一种集成加热器的芯片制备方法、芯片和甲烷探测器，方法包括在衬底表面生长外延结构，得到外延片；在外延片上制作光栅掩膜和光栅结构；去除光栅掩膜后进行光栅掩埋和欧姆接触层生长，得到光栅片；在光栅片上沉积掩膜，经光刻、刻蚀和去胶后，再腐蚀至腐蚀截止层，去除掩膜，得到脊型波导的晶圆；在晶圆的表面沉积钝化层；在钝化层上制作加热器图形，并镀上金属薄膜，剥离后得到加热器；去除波导顶端的钝化层以露出欧姆接触层；在晶圆表面生长金属电极和第一焊盘；将外延片背面研磨减薄并镀上金属，并解理出bar条，在背光端面镀高反膜，出光端面镀增透膜，解理后得到单颗芯片。本发明通过在芯片上集成加热器，提高加热效率和降低功耗。
主权项：1.一种集成加热器的芯片制备方法，其特征在于，包括：在衬底表面生长外延结构，得到外延片；在外延片上通过匀胶、曝光和显影制作光栅掩膜，并在外延片的光栅层腐蚀出光栅结构；去除光栅掩膜后进行光栅掩埋和欧姆接触层生长，得到光栅片；在光栅片上沉积掩膜，经光刻、刻蚀和去胶后再腐蚀至腐蚀截止层，去除掩膜，得到脊型波导的晶圆；在晶圆的表面沉积钝化层；在钝化层上通过匀胶、曝光和显影制作加热器图形，并镀上金属薄膜，剥离后得到加热器；去除波导顶端的钝化层以露出欧姆接触层；在晶圆表面生长与欧姆接触层欧姆接触的金属电极和第一焊盘；将外延片背面研磨减薄并镀上金属，并解理出bar条，在背光端面镀高反膜，出光端面镀增透膜，解理后得到单颗芯片。
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百度查询： 苏州鼎芯光电科技有限公司 一种集成加热器的芯片制备方法、芯片和甲烷探测器
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