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摘要：本发明提供硅片及硅片的形成方法，硅片用于半导体器件大规模集成电路和或同质及异质半导体材料外延生长，通过在硅片的边缘区域形成一BMD圈，BMD圈位于滑移缺陷内侧，BMD圈能够有效地钉扎滑移缺陷的移动，从而阻挡硅片边缘的滑移缺陷的沿硅片边缘至硅片中心的方向传播。BMD对滑移缺陷的钉扎效果与BMD密度及大小有关，进一步的，BMD的密度大于E+8eacm3，BMD中的氧沉淀的直径为20nm至200nm时，滑移缺陷被高密度BMD阻挡，减弱甚至完全没有侵入硅片内部。
主权项：1.一种硅片，其特征在于，所述硅片包括边缘区域且在所述边缘区域的边缘处形成有滑移缺陷，所述边缘区域内具有一BMD圈，所述BMD圈位于所述滑移缺陷内侧，以阻挡所述边缘区域的滑移缺陷沿所述硅片的边缘至所述硅片的中心的方向传播。
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百度查询： 上海新昇半导体科技有限公司 硅片及硅片的形成方法
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