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摘要：本发明属于碳化硅陶瓷材料加工技术领域，具体涉及一种高纯SiC素坯及其成型方法。本发明所述方法，包括如下步骤：S1：对SiC原砂进行一次球磨、晾干、过筛，得到SiC砂；S2：配制浆料，进行二次球磨、真空除泡、引发、注浆、脱模、干燥，得到高纯SiC素坯。本发明提供的高纯度SiC素坯的成型方法，通过控制原砂的表面形貌和环境工具洁净度，结合传统的凝胶注模手段，实现了高纯度高固相含量的SiC素坯成型，操作容易，周期较短，为后续烧结和气相沉积提供先导基础，对于半导体装备用高纯SiC陶瓷精密部件的制备有着重要意义。本发明的成型方法具备环境友好性，易于在碳化硅陶瓷材料加工领域推广应用。
主权项：1.一种高纯SiC素坯的成型方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：对SiC原砂进行一次球磨、晾干、过筛，得到SiC砂；S2：配制浆料，进行二次球磨、真空除泡、引发、注浆、脱模、干燥，得到高纯SiC素坯。
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百度查询： 郑州三磨超硬材料有限公司 一种高纯SiC素坯及其成型方法
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