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摘要：本发明属于钙钛矿器件技术领域，具体为钙钛矿薄膜、钙钛矿LED器件及其制备方法。本发明提供的钙钛矿薄膜由ABX3有机‑无机钙钛矿材料以及含金属阳离子的盐组成的浆料涂布于衬底上，再经退火处理得到；含金属阳离子的盐所占摩尔比为1mol％～5mol％；A选自PEA+、GA+、Cs+，B为Pb2+，X为Br‑或Cl‑；含金属阳离子的盐为三氟甲磺酸钙。本发明引入三氟甲磺酸钙的阴离子通过路易斯酸碱相互作用钝化钙钛矿薄膜内部缺陷；添加的钙金属离子能够以间隙掺杂的方式进入钙钛矿晶格中，由于钙离子与钙钛矿当中的带电缺陷具有较强的相互作用，其能有效抑制钙钛矿内部的离子移动。本发明抑制钙钛矿薄膜和器件内部卤素离子迁移，提高发光光谱稳定性。
主权项：1.一种钙钛矿薄膜，其特征在于，由ABX3有机-无机钙钛矿材料以及含金属阳离子的盐组成的浆料涂布于衬底上，再经退火处理得到；所述含金属阳离子的盐所占的摩尔比为1mol％～5mol％；所述钙钛矿型ABX3有机-无机杂化材料中，A选自PEA+、GA+、Cs+，B为Pb2+，X为Br-或Cl-；所述的含金属阳离子的盐为三氟甲磺酸钙CaCF3SO32。
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百度查询： 复旦大学 钙钛矿薄膜、钙钛矿LED器件及其制备方法
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