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摘要：本发明公开低噪声非线性校准工艺设计与镜像孪生集成电容器制造方法，方法步骤为：1模拟集成电路的P型阱上方生长场氧化层；2在N阱上方的场氧化层上淀积多晶电容器下极板多晶膜层并实施匹配注入掺杂；3电容器介质层生长；4淀积多晶电容器上极板多晶膜层以及保护膜层和结构制作；低噪声低失配非线性校准工艺设计与镜像孪生集成电容器包括衬底、N型埋层，P型埋层，外延层，N型阱、P型阱、场氧化层、牺牲氧化层、栅氧化层、多晶薄膜层、二氧化硅介质层，氮氧化硅介质层，低介电系数填充膜层和金属互连膜层以及钝化层。本发明降低了寄生电容衬底噪声和串扰噪声的影响，实现了集成电容器的低噪声特性。

主权项：1.低噪声非线性校准工艺设计与镜像孪生集成电容器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1在衬底上制作槽隔离，然后形成N型阱区，P型阱区。2N型阱区与P型阱区间采用场氧-截止注入隔离或槽隔离；3在n千埃米的厚场氧化层均匀平坦区域淀积P0埃米电容器下极多晶膜层；4对电容器下电极多晶膜层通过注入掺杂N型元素方式调整多晶膜层掺杂浓度和杂质分布；依据电路设计需要，在电容器下电极多晶膜层需要的区域通过注入掺杂N型元素方式调整孪生电容元胞C1与C2区域多晶膜层掺杂浓度和杂质分布；形成孪生电容元胞C1与C2的下电极多晶结构；5将多晶膜层刻蚀出中心对称的元胞，依据工艺需求生长所需厚度的电容介质层，并填充步骤4形成的孪生电容元胞之间的间隙；形成电容器下极板保护结构；6在电容介质层上方淀积P1埃米多晶膜层，并完成N型元素注入掺杂；7采用光刻工艺将多晶膜层刻蚀出与4步骤形成的电容下电极对应的中心对称的元胞，该多晶膜层作为多晶电容器上极板；8采用热氧法生长n埃米热氧化层；淀积d1埃米氮化硅介质层形成电容器上极板保护结构；9完成双极晶体管基区和发射区注入或和场效应晶体管源漏注入，退火激活；10金属硅化曝光刻蚀，溅射Ti金属薄膜，电容元胞C1和元胞C2多晶硅、其他裸露的硅、多晶硅区域金属硅化后剥离未发生金属硅化反应的金属Ti；11光刻介质层淀积、回流填充平坦化，接触孔刻蚀，钨塞填充和平坦化；12将电容元胞C1的上电极与电容元胞C2的上电极金属互连；同时将电容元胞C1的下电极与电容元胞C2的下电极金属互连，最终形成Twin-Combined-Bridge架构单元。

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