龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明属于发光材料技术领域，公开了一种新型一维铋基卤化物单晶的高压制备方法，本发明的制备方法简单环保，取代了复杂且具有较大环境危害性的化学合成过程。通过测试常压下初始相和高压相的紫外可见吸收光谱和光致荧光光谱，两个相的带隙值差异明显，并且荧光峰发生较大约45nm的偏移，光致发光由红光变为黄光，在发光材料中具有潜在的应用前景。由初始相向高压相的转变过程中，晶体的形状尺寸发生较大形变，这种尺寸变化在极端深海环境下的压致探测器或压致开关等领域具有一定的应用潜力。
主权项：1.一种新型一维铋基卤化物单晶的高压制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在六面顶压机中，以MVBiBr5的初始相为起始材料，装入密封样品腔；将密封样品腔放入合成腔体中，利用六面顶压机施加约200MPa的压力，使MVBiBr5由红色的初始相转变为棕色的高压相；将六面顶压机卸压至常压，高压相MVBiBr5得到成功截获。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种新型一维铋基卤化物单晶的高压制备方法及系统
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号