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摘要：本申请提供了一种形成沟槽的方法及半导体工艺设备，其中，该方法包括：第一刻蚀步，在待刻蚀膜层中形成多个初始沟槽，初始沟槽的截面为倒梯形；第一修饰步，将各个初始沟槽修饰为中间沟槽，中间沟槽为侧壁竖直且底部呈弧形的沟槽结构；第二刻蚀步，对各个中间沟槽进行刻蚀，以形成目标沟槽。采用本申请的方案可以有效减小各个目标沟槽之间的刻蚀深度差异。
主权项：1.一种形成沟槽的方法，其特征在于，应用于待刻蚀膜层，包括：第一刻蚀步，在所述待刻蚀膜层中形成多个初始沟槽，所述初始沟槽的截面为倒梯形；第一修饰步，将各个所述初始沟槽修饰为中间沟槽，所述中间沟槽为侧壁竖直且底部呈弧形的沟槽结构；第二刻蚀步，对各个所述中间沟槽进行刻蚀，以形成目标沟槽。
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百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 形成沟槽的方法及半导体工艺设备
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