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摘要：本发明涉及一种TOPCon电池的钝化层的制备方法及其钝化层，属于光伏电池制备技术领域。包括：对N型硅片的背面依次沉积隧穿氧化层、第一poly‑si层、分子筛层、第二poly‑si层、第三poly‑si层和mask层，以得到制备好的TOPCon电池的钝化层。通过在多个N型硅片背面增加了分子筛层和第三poly‑si层，相较于现有技术的TOPCon电池的钝化层具有一层掺杂多晶硅膜层和一层重掺杂多晶硅层的结构而言，本发明的TOPCon电池的钝化层有利于降低背面复合损失，提高N型硅片背面的磷扩散效果，提高TOPCon电池的钝化效果，降低载流子在N型硅片背面的复合速率，提高TOPCon电池的光电转换效率。

主权项：1.一种TOPCon电池的钝化层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，将装载有多个N型硅片1的石墨舟送入PECVD反应炉管的腔体内，再对腔体进行第一次抽真空处理、预热处理和检漏处理，以得到进行PECVD反应的反应腔体；S2，向反应腔体内通入笑气，来对多个N型硅片1进行隧穿氧化层2的预沉积处理和沉积处理，使得多个N型硅片1的背面均形成隧穿氧化层2，再对完成隧穿氧化层2的沉积处理的反应腔体进行第二次抽真空处理；S3，向完成第二次抽真空处理的反应腔体内通入硅烷、氢气和磷烷，来对多个N型硅片1进行第一poly-si层3的预沉积处理和沉积处理，使得隧穿氧化层2的背面形成第一poly-si层3，再对完成第一poly-si层3的沉积处理的反应腔体进行第三次抽真空处理；S4，向完成第三次抽真空处理的反应腔体内通入笑气，来对多个N型硅片1进行分子筛层4的预沉积处理和沉积处理，使得第一poly-si层3的背面形成分子筛层4，再对完成分子筛层4的沉积处理的反应腔体进行第四次抽真空处理；S5，向完成第四次抽真空处理的反应腔体内通入硅烷、氢气和磷烷，来对多个N型硅片1进行第二poly-si层5的预沉积处理和沉积处理，使得分子筛层4的背面形成第二poly-si层5，再对完成第二poly-si层5的沉积处理的反应腔体进行第五次抽真空处理；S6，向完成第五次抽真空处理的反应腔体内通入硅烷、氢气和磷烷，来对多个N型硅片1进行第三poly-si层6的预沉积处理和沉积处理，使得第二poly-si层5的背面形成第三poly-si层6，再对完成第三poly-si层6的沉积处理的反应腔体进行第六次抽真空处理；S7，向完成第六次抽真空处理的反应腔体内通入硅烷和笑气，来对多个N型硅片1进行mask层7的预沉积处理和沉积处理，使得第三poly-si层6的背面形成mask层7，再对完成mask层7的沉积处理的反应腔体进行第七次抽真空处理；S8，向完成七次抽真空处理的反应腔体内通入吹扫气体，来对反应腔体进行吹扫处理，再将完成吹扫处理的石墨舟送出PECVD反应炉管，以得到制备好的TOPCon电池的钝化层。

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