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摘要：本发明涉及一种磁电非易失存储器及其制备方法，属于半导体器件技术领域，解决了现有存储器能耗高的问题。该磁电非易失存储器包括铁电存储器和磁存储器；其结构包括自下而上依次设置的铁电底电极层、铁电层、MRAM底电极层、自由层、隧穿层、参考层、中间层、钉扎层、保护层和硬掩膜层。
主权项：1.一种磁电非易失存储器，其特征在于，所述磁电非易失存储器包括铁电存储器和磁存储器；其结构包括自下而上依次设置的铁电底电极层、铁电层、MRAM底电极层、自由层、隧穿层、参考层、中间层、钉扎层、保护层和硬掩膜层。
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百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种磁电非易失存储器及其制备方法
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