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摘要：本发明公开了一种双多晶自对准双极工艺集成锗硅HBT的制作方法及器件，方法包括：在硅衬底上形成第一集电极区、第二集电极区和场氧隔离区；在第一集电极区注入内基区；在集电极区形成选择性注入区；在第二集电极区中形成SiGe异质结内基区；形成第一外基区和第二外基区；形成第一发射极窗口和第二发射极窗口；在所述第一发射极窗口形成第一多晶硅发射极区，在所述第二发射极窗口形成第二多晶硅发射极区。本发明中，可以在不显著增加工艺难度及工艺复杂度的情况下，同时实现双多晶自对准双极晶体管与SiGe异质结双极晶体管的工艺集成，可满足多种不同的应用需求。

主权项：1.一种双多晶自对准双极工艺集成锗硅HBT的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供硅衬底，在所述硅衬底上划分至少一个第一器件区和至少一个第二器件区，并在所述第一器件区形成第一掺杂类型的第一集电极区，在所述第二器件区形成第二掺杂类型的第二集电极区，以及在每一第一集电极区和每一第二集电极区的外围分别形成一场氧隔离区；S2、在所述第一集电极区形成注入内基区，所述注入内基区的掺杂类型与第一集电极区的掺杂类型相反；S3、在所述第一集电极区通过离子注入形成第一掺杂类型的第一集电极区选择性注入区；在所述第二集电极区通过离子注入形成第二掺杂类型的第二集电极区选择性注入区；S4、在所述第二集电极区中形成SiGe异质结内基区，所述SiGe异质结内基区的掺杂类型与第二集电极区的掺杂类型相反；S5、形成与注入内基区连接的第一外基区，以及与SiGe异质结内基区连接的第二外基区；所述第一外基区的掺杂类型与注入内基区的掺杂类型相同，所述第二外基区的掺杂类型与SiGe异质结内基区的掺杂类型相同；S6、在所述第一集电极区上方形成第一发射极窗口，在所述第二集电极区上方形成第二发射极窗口；S7、在所述第一发射极窗口形成第一侧壁阻挡结构和第一多晶硅发射极区，在所述第二发射极窗口形成第二侧壁阻挡结构和第二多晶硅发射极区；所述第一多晶硅发射极区的掺杂类型与第一集电极区的掺杂类型相同，所述第二多晶硅发射极区的掺杂类型与第二集电极区的掺杂类型相同。

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