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摘要：本发明提供的一种电压基准二极管的制作工艺采用两片硅片分别制作用于基准电压的反向PN结硅片和用于进行温度系数补偿的正向PN结硅片，再将两片硅片键合后进行切割裂片，形成台面管芯；采用了一片掺入重掺杂复合中心的硅片对基准电压硅片进行温度补偿，在实际生产过程中，根据需要的基准电压，制备对应的补偿硅片。补偿硅片通过反向恢复时间表征其补偿能力，由于反向恢复时间的控制是通过控制补偿硅片生产过程中的铂扩散时间与温度实现，可达到较高精度，因此其补偿能力也可达到较高精度，可按照需要获得对应的温度系数档位，大幅提高了温度系数对档率，降低生产投入成本。
主权项：1.一种电压基准二极管的制作工艺，其步骤为：S1、制作P+N型芯片，并去除N面的表面；S2、制作N+N-P+型芯片，并去除P面表面；S3、在P+N型芯片和N+N-P+型芯片的N+面或P+N型芯片和N+N-P+型芯片的P+面制作一层内铝薄膜层；S4、将P+N型芯片和N+N-P+型芯片的内铝薄膜层相互贴合，然后进行铝键合；S5、在键合后的芯片的两端面分别制作外铝薄膜层；S6、根据产品规格切割裂片，形成台面管芯。
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百度查询： 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) 一种电压基准二极管的制作工艺
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