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摘要：本发明提供了一种屏蔽栅MOSFET器件及形成方法，包括：在靠近正面的衬底内形成相同深度并且间隔的第一屏蔽栅沟槽和第二屏蔽栅沟槽；在第一屏蔽栅沟槽内形成第一屏蔽栅氧化层、第一屏蔽栅、第一介质层、第一栅氧化层和第一栅多晶硅；在第二屏蔽栅沟槽内形成第二屏蔽栅氧化层、第二屏蔽栅、第二介质层、第二栅氧化层和第二栅多晶硅，第二栅多晶硅的表面和长度均低于第一栅多晶硅的表面和长度；在第一栅多晶硅和第二栅多晶硅两侧的衬底内分别形成阱区；在第一栅多晶硅和第二栅多晶硅两侧的阱区内分别形成源区，源区的表面与阱区的表面齐平；在靠近背面的衬底内形成漏区。本发明不同屏蔽栅沟槽内形成了不同开启电压的屏蔽栅MOSFET。
主权项：1.一种屏蔽栅MOSFET器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括相对的正面和背面；在靠近正面的所述衬底内形成相同深度并且间隔的第一屏蔽栅沟槽和第二屏蔽栅沟槽；在所述第一屏蔽栅沟槽内形成第一屏蔽栅氧化层、第一屏蔽栅、第一介质层、第一栅氧化层和第一栅多晶硅，所述第一栅多晶硅通过所述第一介质层与所述第一屏蔽栅隔开，所述第一屏蔽栅通过所述第一屏蔽栅氧化层与所述第一屏蔽栅沟槽的内壁隔开所述第一栅多晶硅通过第一栅氧化层与所述第一屏蔽栅沟槽的内壁隔开；在所述第二屏蔽栅沟槽内形成第二屏蔽栅氧化层、第二屏蔽栅、第二介质层、第二栅氧化层和第二栅多晶硅，所述第二栅多晶硅通过所述第二介质层与所述第二屏蔽栅隔开，所述第二屏蔽栅通过所述第二屏蔽栅氧化层与所述第二屏蔽栅沟槽的内壁隔开，所述第二栅多晶硅通过第二栅氧化层与所述第二屏蔽栅沟槽的内壁隔开，所述第二栅多晶硅的表面和长度均低于所述第一栅多晶硅的表面和长度；分别对准所述第一栅多晶硅和第二栅多晶硅，在所述第一栅多晶硅和第二栅多晶硅两侧的衬底内分别形成阱区；分别对准所述第一栅多晶硅和第二栅多晶硅，在所述第一栅多晶硅和第二栅多晶硅两侧的阱区内分别形成源区，所述源区的表面与所述阱区的表面齐平；在靠近背面的所述衬底内形成漏区。
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百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 屏蔽栅MOSFET器件及形成方法
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