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摘要：本文档描述了用于基于功率预测的漏电筛查的系统和方法。具体而言，所描述的系统和方法在硅制造过程期间估计用例功率例如，低功率、环境功率、高功率、游戏功率以针对部件例如，芯片封装应用漏电筛查。在一些方面，可测量的硅参数例如，漏电值、区间值、处理器传感器值可用于用例功率预测。使用所描述的方法，可以确定最大允许的预测的用例功率并将其用于漏电筛查，而不管单独的轨道漏电或电压区间分配如何。
主权项：1.一种用于基于功率预测的漏电筛查的方法，所述方法包括：接收已经过晶圆测试、裸片切割、封装和分区的芯片封装，所述芯片封装具有多个轨道，所述多个轨道中的每个轨道基于自适应供给电压值被分配给多个电压区间中的对应电压区间；获得与所述芯片封装相关联的一个或多个硅参数，所述一个或多个硅参数是在所述芯片封装的晶圆级测试期间被确定的，并且至少包括所述多个轨道中的每个轨道的漏电流值；对所述芯片封装的所述多个轨道执行多轨道测试，以提供跨所述多个电压区间的每轨道结果，所述多个轨道中的每个轨道是基于对应的漏电流值和所述对应电压区间的所述自适应供给电压值被测试的；基于跨所述多个电压区间的所述每轨道结果的聚合来确定聚合值；以及基于所述聚合值来对所述芯片封装进行分类。
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百度查询： 谷歌有限责任公司 基于功率预测的漏电筛查
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