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摘要:本发明公开了一种垂直环形耦合结构,涉及电子元器件技术领域。本发明通过在氮化铝陶瓷电路基板表层设置微带线,并设置垂直过渡结构,从而将环形耦合网络夹设在氮化铝陶瓷电路基板内,并通过垂直过渡结构进行连接,在不增加基板表层面积的情况下减少了基板表面占用,进一步提高了集成度,同时,耦合度仅与环形耦合网络的环形面积和设置距离有关,在实际应用中,两者在设计成型后不易变化,提高了耦合系数的稳定性。
主权项:1.一种垂直环形耦合结构,其特征在于,包括:多层堆叠的氮化铝陶瓷电路基板,形成从上至下的第一堆叠结构2和第二堆叠结构4;金属结构1,包括微带线10、垂直互联中心导体6、准同轴金属柱7、环形耦合网络8和带状线9;其中,微带线10首端设置于第一堆叠结构2表层的棱边,末端处于第一堆叠结构2的表层中间区域;各堆叠结构中位于微带线10末端处设置有中心垂直过孔,在中心垂直过孔周围设置有多个准同轴金属通孔;中心垂直过孔中设置有垂直互联中心导体6,准同轴金属通孔中设置有准同轴金属柱7;带状线9,夹设在第二堆叠结构4中,所述带状线9为直角型,其任一直角边部分处于微带线10下方,所述处于微带线10下方的直角边部分与环形耦合网络8连接;所述垂直互联中心导体6处于环形耦合网络8的环形中,所述环形耦合网络8被各金属柱7包围;微带线等效接地金属层3,夹设在第一堆叠结构2和第二堆叠结构4之间,对应环形耦合网络8和各金属柱7处设有开孔;带状线等效接地金属层5,设置在第二堆叠结构4下方,对应环形耦合网络8处设有开孔。
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百度查询: 西北工业大学 一种垂直环形耦合结构
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