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摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种具有三电平电路拓扑结构的功率模块，包括绝缘板、金属层、金属针脚和功率芯片，提出的将三电平电路拓扑主功率回路对折并紧挨在一起布局的设计大幅度降低了所述模块功率主回路的寄生电感，提出的采用硅基芯片和碳化硅基芯片混合的所述功率模块与匹配的控制策略搭配使用时将大幅提升功率模块工作效率。
主权项：1.一种具有三电平电路拓扑结构的功率模块，其特征在于，包括：绝缘板，包括第一绝缘板和第二绝缘板，所述第二绝缘板和所述第一绝缘板沿X方向并列布置在同一平面上；金属层，位于所述绝缘板的上表面，包括图案化金属层区域，用于实现所述功率模块的电路拓扑结构，所述第一绝缘板和所述第二绝缘板上的金属层之间通过金属层连接桥电气连接；金属针脚，包括输入正直流母线的“DC+”针脚、输入负直流母线的“DC-”针脚、输出交流的“AC”针脚和中点电位箝位的“M”针脚，所述金属针脚布置于所述金属层上；功率芯片，所述功率芯片布置于所述金属层上，与所述金属层电气连接；所述绝缘板、所述金属层、所述金属针脚和所述功率芯片连接成所述功率模块的电路拓扑结构，所述电路拓扑结构为中性点有源箝位的三电平拓扑结构，所述三电平拓扑结构包括主桥臂和箝位桥臂，所述主桥臂包括依次串联的第一组、第二组、第三组和第四组功率芯片，四组功率芯片均包括硅IGBT芯片以及与其反并联的续流二极管芯片，所述箝位桥臂包括第五组功率芯片和与其串联的第六组功率芯片，所述第五组功率芯片和第六组功率芯片均包括并联连接的碳化硅MOSFET芯片，所述第五组功率芯片中碳化硅MOSFET芯片的漏极与所述第一组功率芯片中硅IGBT芯片的发射极和第二组功率芯片中硅IGBT芯片的集电极相连，所述第六组功率芯片中碳化硅MOSFET芯片的源极与所述第三组功率芯片中硅IGBT芯片的发射极以及所述第四组功率芯片中硅IGBT芯片的集电极相连。
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