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摘要：本发明涉及纳米技术领域，公开了一种快速制备纳米级短支晶SiC的方法，包括以下步骤：将硅源与碳源混合得到混合粉体，将其装入带有电极的容器中，并置于焦耳加热炉的样品架上；通过开启真空泵达到一定真空度后，利用焦耳热对坯料进行分步加热，最终冷却至室温，获得纳米级短支晶SiC。本发明与现有技术相比的优点在于：通过焦耳热的快速升温与降温特性，显著缩短了SiC的形核和生长时间，能在数秒至数十秒内完成相应过程，相较于传统电炉加热大大提高了效率。通过调整热循环次数，能够精确控制短支晶SiC的长径比，且产物直径为纳米级。该工艺不仅简便、成本低廉，还适用于大规模生产，具有广阔的应用前景。
主权项：1.一种快速制备纳米级短支晶SiC的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：1混合粉体：将硅源和碳源进行混合，得到均匀的混合粉体；2装入电极容器并抽真空：将上述混合粉体装入带有电极容器内，然后将电极置于焦耳加热炉中的样品架上，之后开启真空泵，将腔体内抽真空；3加热并保温：利用焦耳热将坯料加热至目标温度并保温一段时间；4快速降温与保温：快速将温度降至1000～1500℃，保温5～20s，完成一次热循环；5重复热循环：将上述步骤3和步骤4，重复热循环若干次，最后冷却至室温，得到纳米级短支晶SiC。
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百度查询： 河南省科学院碳基复合材料研究院 一种快速制备纳米级短支晶SiC的方法
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