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摘要：本申请公开了一种中中双色红外光电探测器半导体器件及制备方法，涉及半导体技术，包括：S10，建立仿真模型，通过性能测试实验获取器件各层参数与器件性能关系趋势；S20，基于关系趋势，确定器件各层参数范围；S30，依次生长衬底层；第一n型层，Cd组分0.33～0.36，In掺浓度5×1014cm3～5×1016cm3，厚度4μm～9μm；p型层，Cd组分0.35～0.38，Hg空位或As掺浓度5×1016cm3～5×1018cm3，厚度2μm～5μm；第二n型层，Cd组分0.29～0.31，In掺浓度5×1014cm3～5×1016cm3，厚度2μm～5μm；器件倾斜度75°～90°。
主权项：1.一种npn中中双色碲镉汞红外光电探测器半导体器件制备方法，其特征在于，包括：S10，建立npn中中双色碲镉汞红外光电探测器半导体器件的仿真模型，通过性能测试实验分别获取第一n型HgCdTe层、p型HgCdTe层以及第二n型HgCdTe层的组分、掺杂浓度、厚度和器件暗电流、电极电流、量子效率、光响应、串音的关系趋势；以及获取器件的倾斜度和器件暗电流、电极电流、量子效率、光响应、串音的关系趋势；S20，基于获取的第一n型HgCdTe层、p型HgCdTe层以及第二n型HgCdTe层的组分、掺杂浓度、厚度以及器件倾斜度，和器件暗电流、电极电流、量子效率、光响应、串音的关系趋势，分别确定待制备的npn中中双色碲镉汞红外光电探测器件的第一n型HgCdTe层、p型HgCdTe层以及第二n型HgCdTe层的组分范围、掺杂浓度范围、厚度范围，以及确定待制备器件的倾斜度范围；S30，生长衬底层，并在所述衬底层上依次生长第一n型HgCdTe层、p型HgCdTe层以及第二n型HgCdTe层；其中，所述第一n型HgCdTe层的厚度为4μm～9μm；第二n型HgCdTe层的厚度为2μm～5μm；p型HgCdTe层的厚度为2μm～5μm；器件整体的倾斜度范围为75°～90°。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十一研究所 n p n中中双色碲镉汞红外光电探测器半导体器件及制备方法
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