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摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种提高背面钝化效果的背接触电池及其制备方法和应用，包括设置在导电膜层外表面的氧化铝层，隔离槽贯穿氧化铝层，且在与第一半导体开口区对应的部分氧化铝层上开设第一开口，在与第二半导体开口区对应的部分氧化铝层上开设第二开口；氧化铝层的折射率为1.5‑1.7，氧化铝层的厚度为30‑50nm，导电膜层的折射率为1.8‑1.9，氧化铝层与导电膜层的厚度比例为1：（1.0‑2.6）；且正面钝化层包含氧化硅钝化层和三氧化二铝钝化层的组合。本发明可以增加正面长波长和背面入射光的吸收，又可以增加背面半导体层的钝化效果；提高电流密度和电池的转换效率。

主权项：1.一种提高背面钝化效果的背接触电池，包括硅片，在硅片正面依次设置的正面钝化层和减反层，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，铺设在第一半导体层和第二半导体层外表面的导电膜层，以及金属电极；所述第二半导体层的两端分别向外延伸至覆盖在相邻的第一半导体层的部分背面外，并在第一半导体层的背面开设不覆盖第二半导体层的第一半导体开口区，相邻的第一半导体层之间形成第二半导体开口区，第二半导体开口区与第一半导体开口区间隔排列且它们之间的对应半导体区域为叠加区，所述导电膜层的位于叠加区内的部分上开设隔离槽；所述金属电极设置在第二半导体开口区、第一半导体开口区的各自对应导电膜层的外表面；第一半导体层包含第一隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层，第二半导体层为包含本征氢化非晶硅层和第二掺杂硅层的叠层或者为包含第二隧穿氧化层与第二掺杂多晶硅层的叠层；其特征在于，还包括设置在导电膜层外表面的氧化铝层，隔离槽贯穿氧化铝层，且在与第一半导体开口区对应的部分氧化铝层上开设第一开口，在与第二半导体开口区对应的部分氧化铝层上开设第二开口，第一开口和第二开口以供金属电极与导电膜层接触；其中，氧化铝层的折射率为1.5-1.7，氧化铝层的厚度为30-50nm，导电膜层的折射率为1.8-1.9，氧化铝层与导电膜层的厚度比例为1：（1.0-2.6）；且正面钝化层包含从硅片正面向外依次设置的氧化硅钝化层和三氧化二铝钝化层的组合，三氧化二铝钝化层与氧化铝层的厚度之比为1：（6-17）。

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