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摘要：本发明提供了一种半导体蚀刻设备用石英部件的清洗再生方法，采用有机溶剂处理、高浓度混酸溶液处理、氧化剂溶液处理、硫酸溶液处理、低浓度混酸溶液处理、超声波清洗，无尘烘箱干燥七道工序依次处理，去除石英部件表面的沉积物及腐蚀破碎的石英晶粒。清洗前和清洗后的石英部件表面放大1000倍显微镜图像对比可以发现，处理后的石英部件表面整洁无污染、石英晶粒致密饱满，满足再生的要求。
主权项：1.一种半导体干刻设备用石英部件的清洗再生方法，其特征在于，包括如下步骤：1有机溶剂浸泡将待清洗部件浸泡在有机溶剂中15～20min，并采用纯水清洗，去除石英窗表面的油渍、污染物，同时疏松软化硅、氮沉积物；2高浓度混酸溶液浸泡将步骤1处理后部件放入盐酸和氢氟酸水溶液中浸泡30-60分钟，溶液最佳温度为20-35℃，然后采用纯水清洗，去除表面大部分沉积物，同时与蚀刻制程中破碎的石英晶粒反应；有该混酸溶液中，盐酸和氢氟酸水溶液的体积百分比分别为：盐酸10％-12％、氢氟酸40％-50％，余量为纯水；3氧化剂溶液浸泡将步骤2处理后石英部件放入20-35℃氨水双氧水溶液中浸泡30-60分钟，软化并去除表面的沉积物，该氨水双氧水溶液的体积百分比分别为：氨水20％-25％、双氧水40％-50％，余量为纯水；4硫酸溶液浸泡将步骤3处理后石英部件放入体积百分比为25％-35％的硫酸溶液中浸泡30-60分钟，进一步去除表面的沉积物；5低浓度混酸溶液浸泡将步骤4处理后石英窗放入20-35℃低浓度盐酸氟酸水溶液中浸泡25-30分钟，进一步去除表面的沉积物；该低浓度盐酸氟酸水溶液中，硝酸和氟酸水溶液的体积百分比分别为：盐酸4％-5％、氟酸2％-3％，余量为纯水；6超声波清洗将步骤5处理后石英部件放入超声波清洗槽中清洗，超声波强度为6-10win2，去除石英部件表面及孔隙内的颗粒物；7无尘干燥采用无尘烘箱烘干，去除石英部件表面的水分，使其处于完全干燥的状态。
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百度查询： 上海富乐德智能科技发展有限公司 一种半导体干刻设备用石英部件的清洗再生方法
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