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摘要：本申请公开了一种碲镉汞芯片前道工艺处理方法，涉及半导体加工技术领域，包括步骤：对芯片基材进行预处理，其中芯片基材包括自下而上设置的碲锌镉衬底层以及晶体层；在晶体层表面自下而上制备碲化镉层以及硫化锌层；在晶体层表面制备pn结；在芯片基材的表面制备与pn结一一对应的通道，用于一一对应将pn结暴露出来；将制备的通道金属化，并在金属化的通道表面制备铟材料层。该工艺方法设计能够减少芯片基材表面漏电流，能够避免电子被激发而影响材料表面性能，能够降低芯片基材表面复合速率，减小或去除其对测试寿命值的影响，有效提高碲镉汞芯片良率，以提升芯片的利用率。
主权项：1.一种碲镉汞芯片前道工艺处理方法，其特征在于，包括步骤：对芯片基材进行预处理，其中所述芯片基材包括自下而上设置的碲锌镉衬底层以及晶体层；在所述晶体层表面自下而上制备碲化镉层以及硫化锌层；在所述晶体层表面制备pn结；在所述芯片基材的表面制备与所述pn结一一对应的通道，用于一一对应将所述pn结暴露出来；将制备的所述通道金属化，并在金属化的通道表面制备铟材料层。
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百度查询： 安徽光智科技有限公司 一种碲镉汞芯片前道工艺处理方法
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