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具有背面触点拼接的集成电路结构 

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摘要:描述了具有背面触点拼接的集成电路结构。在示例中,集成电路结构包括与第二多个水平堆叠的纳米线横向间隔开的第一多个水平堆叠的纳米线。第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构在第一多个水平堆叠的纳米线和第二多个水平堆叠的纳米线的相应端部处。导电触点结构在第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构下方并与第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构接触,并且导电触点结构在第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构之间是连续的。导电触点结构在第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构下方的第一垂直厚度大于在第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构之间的区域中的第二垂直厚度。

主权项:1.一种集成电路结构,包括:第一多个水平堆叠的纳米线;第二多个水平堆叠的纳米线,所述第二多个水平堆叠的纳米线与所述第一多个水平堆叠的纳米线横向间隔开;第一外延源极或漏极结构,所述第一外延源极或漏极结构在所述第一多个水平堆叠的纳米线的端部处;第二外延源极或漏极结构,所述第二外延源极或漏极结构在所述第二多个水平堆叠的纳米线的端部处;以及导电触点结构,所述导电触点结构在所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构下方并与所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构接触,所述导电触点结构在所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构之间是连续的,并且所述导电触点结构在所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构下方的第一垂直厚度大于在所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构之间的区域中的第二垂直厚度。

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