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一种介电常数可调控的多晶银薄膜及其制备方法 

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摘要:本公开提供了一种介电常数可调控的多晶银薄膜及其制备方法,该多晶银薄膜的制备方法包括:S11,获取在预定制备条件下、纯氩气气体环境中制备得到的多晶银薄膜的第一介电常数‑波长曲线;S12,获取在预定制备条件下、不同比例氩气与氮气混合的气体环境中制备得到的多晶银薄膜的多条第二介电常数‑波长曲线;S13,基于目标多晶银薄膜在特定波长下的目标介电常数,根据第一介电常数‑波长曲线、多条第二介电常数‑波长曲线确定气体环境中氮气的体积占比;S14,根据S13中确定的氮气的体积占比向真空腔体中通入氩气与氮气混合的气体,在预定制备条件下制备得到目标介电常数下的多晶银薄膜。本公开的方法实现了对银薄膜介电常数的调控,扩大了其应用范围。

主权项:1.一种介电常数可调控的多晶银薄膜的制备方法,其特征在于,包括:S11,获取在预定制备条件下、纯氩气气体环境中制备得到的多晶银薄膜的第一介电常数-波长曲线;S12,获取在所述预定制备条件下、不同比例氩气与氮气混合的气体环境中制备得到的多晶银薄膜的多条第二介电常数-波长曲线,包括:在所述预定制备条件下、不同比例氩气与氮气混合的气体环境中制备得到预定厚度的多个多晶银薄膜;使用椭偏仪分别采集所述多个多晶银薄膜在不同波长下的介电常数数据;分别对所述多个多晶银薄膜在不同波长下的介电常数数据进行拟合得到多条第二介电常数-波长曲线;所述S12中不同比例氩气与氮气混合的气体中氮气的体积占比为50%~100%;S13,基于目标多晶银薄膜在特定波长下的目标介电常数,根据所述第一介电常数-波长曲线、所述多条第二介电常数-波长曲线确定所述气体环境中氮气的体积占比;S14,根据所述S13中确定的氮气的体积占比向真空腔体中通入氩气与氮气混合的气体,在所述预定制备条件下制备得到目标介电常数下的多晶银薄膜,其中,在365nm入射波长下所述多晶银薄膜的介电常数实部调控范围为-2.9~-2.2,虚部调控范围为0.2~0.7;所述S14包括:根据所述S13中确定的氮气的体积占比向真空腔体中通入氩气与氮气混合的气体,工作腔压的调节范围为1.0mTorr~5.0mTorr;在所述预定制备条件下沉积预定厚度的银薄膜,所述沉积的功率为50W~400W,最终得到目标介电常数下的多晶银薄膜;其中,通过控制溅射时间把所述目标介电常数下的多晶银薄膜的厚度控制在40nm;所述目标介电常数下的多晶银薄膜在1*1μm范围内的均方根粗糙度RMS均小于0.8nm。

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