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摘要：本发明公开了一种具有空腔结构的电子器件及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中具有空腔结构的电子器件采用标准的微电子组装技术存在污染或者损坏空腔结构的问题。本发明的电子器件，包括器件基体和封盖层，器件基体的至少一个表面开设有空腔结构，器件基体设有空腔结构的表面覆盖封盖层，使得封盖层封盖空腔结构的开口。本发明的制备方法包括如下步骤：在器件基体设有空腔结构的表面形成封盖层，使得封盖层封盖空腔结构的开口。本发明的电子器件和制备方法能够保证空腔结构的完整性和洁净度，进而能够提高电子器件的整体稳定性。
主权项：1.一种具有空腔结构的电子器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在器件基体设有空腔结构的表面形成封盖层，使得封盖层封盖空腔结构的开口；所述电子器件包括器件基体和封盖层，所述器件基体的至少一个表面开设有空腔结构；所述器件基体设有空腔结构的表面覆盖封盖层，使得封盖层封盖空腔结构的开口；所述电子器件为硅光芯片或微环调制器，所述空腔结构的开口尺寸为1～10μm，所述空腔结构的深度为20～100μm；所述封盖层的厚度为2～10μm；所述空腔结构的深宽比为2～100；所述封盖层采用等离子体增强化学气相沉积或光刻胶喷涂实现，只覆盖到空腔结构的侧壁上部的有限区域；在器件基体设有空腔结构的表面形成封盖层，使得封盖层封盖空腔结构的开口之后，还包括如下步骤：对形成有封盖层的器件基体进行封装工艺；所述封装工艺为晶圆级通孔工艺；对形成有封盖层的器件基体进行封装工艺之后还包括如下步骤：采用机械研磨或化学机械抛光中的一种或多种去除封盖层。
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百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种具有空腔结构的电子器件及其制备方法
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