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摘要：本发明公开了一种应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层，位于晶格失配太阳能电池的晶格失配外延材料和衬底或与衬底晶格常数相同的外延层之间，由多套具有不同反射波段的复合DBR叠置而成，每套复合DBR由多对叠置在一起的DBR对构成，且相邻DBR对之间的晶格常数呈梯度变化，每对DBR对包含两层半导体材料层，该两层半导体材料层的折射率不同但晶格常数相同或存在能够达到应变补偿的失配。本发明将具有宽谱反射的复合DBR有机融合入晶格渐变缓冲层中，既可以大幅降低晶格失配外延材料生长引入的大量位错等缺陷密度，又可以充分发挥反射镜的作用，同时缩减工艺步骤、生长时长和原材料损耗，有利于降低成本。
主权项：1.应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层，其特征在于：所述晶格渐变缓冲层位于晶格失配太阳能电池的晶格失配外延材料和衬底之间，或晶格失配外延材料与衬底晶格常数相同的外延层之间，由多套具有不同反射波段的复合DBR叠置而成，每套复合DBR由多对叠置在一起的DBR对构成，且相邻DBR对之间的晶格常数呈梯度变化，每对DBR对包含两层半导体材料层，该两层半导体材料层的折射率不同但晶格常数相同或存在能够达到应变补偿的失配，每对DBR对的两层半导体材料层的晶格常数能够相同，也允许存在能够达到应变补偿的失配，失配度在3％～5％范围内。
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百度查询： 中山德华芯片技术有限公司 应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层
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