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摘要：本发明涉及半导体数据存储管理技术领域，具体公开了一种用于半导体存储的数据管理方法，用于解决存储器系统中逻辑块寻址数据访问在高并发和频繁写操作下，容易引发“写穿越”现象，多个进程或线程同时访问存储单元时新数据未及时刷新到存储介质导致读取旧数据，影响系统性能和可靠性的问题，包括初始化动态缓存映射表、多版本并发控制、延迟写入校正算法、缓存淘汰与一致性校验；本发明中动态缓存映射表根据访问模式动态调整，提高缓存命中率和访问速度，多版本并发控制防止“写穿越”，确保并发写操作下的数据一致性，延迟写入校正算法减少数据不一致风险，结合最近最少使用策略和一致性校验，增强了高负载和高并发场景下的性能和稳定性。

主权项：1.一种用于半导体存储的数据管理方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，初始化动态缓存映射表：在系统初始化时，创建一个用于存储逻辑块地址到物理块地址映射的动态缓存映射表，这个动态缓存映射表随着访问模式的变化，基于每个物理块地址的最新监控数据，获取动态调整因子，以重新计算逻辑块地址到物理块地址的映射，映射函数为：MLBA＝PBALBA+Δt；式中：LBA为逻辑块地址，MLBA为逻辑块地址的映射函数值，PBALBA为逻辑块地址对应的物理块地址，Δt为动态调整因子，通过计算获得，t为当前时间戳；步骤2，多版本并发控制：在进行数据写入时，引入多版本并发控制，允许在进行写操作时，同时保留旧版本数据；步骤3，延迟写入校正：采用校正算法，将数据从缓存写入存储介质，并在延迟期间对数据进行校正和校验；校正算法的具体实现流程为：步骤31，缓存数据标记与延迟队列管理：在数据写入缓存时，为每个数据块标记未提交状态，数据进入延迟写入队列后，队列按照写入请求的时间顺序进行排序，并记录每个数据块的初始写入时间；步骤32，延迟写入与数据校验：在数据进入延迟队列后，根据预设的延迟时间控制数据写入物理存储介质的时间，数据在延迟期间未发生变化，按照计划时间进行写入，数据发生变化，重新计算延迟时间并进行校验，在延迟期间，系统对延迟队列中的数据进行校验，检测是否存在数据冲突或不一致问题，发现冲突或数据错误，进行数据校正；步骤33，提交与一致性校验：数据最终写入物理存储介质时，系统将延迟队列中的数据写入到物理存储介质，写入后，数据状态从未提交改为已提交，在数据写入介质后，系统再次进行一致性检验，检验通过，数据状态改为已提交；步骤4，缓存淘汰与一致性校验：采用最近最少使用策略进行缓存淘汰，并在淘汰前进行一致性校验。

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