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摘要:本发明公开了一种墙嵌式耐辐照宽量程复合电离室探测器及其测量方法,电离室探测器包括依次连接形成一体式结构的电子学电路装置、铅屏蔽体和电离室;铅屏蔽体为一实心柱状结构,在铅屏蔽体内部贯通设置三个S形弯道,每个S形弯道用于供导线通过,导线用于将电离室和电子学电路装置数据连接。本发明解决了现有探测器中,电子学电路装置的寿命短、电离室的测量量程范围小、电离室探测器抗干扰能力差的问题。
主权项:1.一种墙嵌式耐辐照宽量程复合电离室探测器,其特征在于,包括依次连接形成一体式结构的电子学电路装置13、铅屏蔽体12和电离室;所述电离室包括一筒状外壳9,所述外壳9内设置有一第一收集极4,所述第一收集极4为细长杆,所述第一收集极4外同轴套装有一内高压极3,所述内高压极3为中空筒体,所述第一收集极4的底端位于所述内高压极3内、且与所述内高压极3的底端不接触;所述内高压极3外依次同轴套装有一第二收集极2和外高压极1,所述第二收集极2包括筒体21和在所述筒体21顶端设置的至少三个输出轴22;所述外高压极1为中空筒体,所述第一收集极4的顶端从所述外高压极1的顶端穿出,所述内高压极3的顶端与所述外高压极1的顶端连接,所述筒体21的顶端与所述外高压极1的顶端不接触,各个所述输出轴22从所述外高压极1的顶端穿出;所述内高压极3的底端位于所述筒体21内、且其与所述筒体21的底端不接触,所述筒体21的底端位于所述外高压极1内、且其与所述外高压极1的底端不接触;所述铅屏蔽体12为一实心柱状结构,在所述铅屏蔽体12内部贯通设置三个S形弯道10,每个所述S形弯道10用于供导线通过,所述导线用于将所述电离室和所述电子学电路装置13数据连接。
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