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摘要：提供了一种用于半导体器件中的间隙填充的方法和装置。该方法包括在基板的暴露的顶表面上形成金属种晶层，其中基板具有形成在基板的顶表面中的沟槽或通孔形式的特征，该特征具有侧壁和在侧壁之间延伸的底表面。执行梯度氧化处理以氧化金属种晶层的暴露部分以形成金属氧化物，其中梯度氧化处理优先氧化特征的底表面上方的基板的场区域。回蚀处理去除种晶层的氧化部分。第二蚀刻处理去除种晶层的其他部分。金属间隙填充处理用间隙填充材料填充或部分地填充特征。
主权项：1.一种在基板上填充特征的方法，所述方法包括以下步骤：在所述基板的暴露的顶表面上形成金属种晶层，其中所述基板具有形成在所述基板的所述顶表面中的沟槽或通孔形式的特征，所述特征具有侧壁和在所述侧壁之间延伸的底表面；执行梯度氧化处理以氧化所述金属种晶层的暴露部分以形成金属氧化物，其中所述梯度氧化处理优先氧化所述特征的所述底表面上方的所述基板的场区域；进行回蚀处理以去除所述种晶层的所述氧化部分；执行各向同性蚀刻处理以去除所述种晶层的部分；和执行金属间隙填充处理以用间隙填充材料填充或部分地填充所述特征。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 用于自底而上间隙填充的PVD钼梯度氧化和蚀刻
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