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摘要：本申请提供了一种金属互连器件的阻挡层制备方法，方法包括：获取初始半导体衬底，所述初始半导体衬底包括位于金属互连器件的器件层上的介质层中的第一沟道；按照第一沉积条件在所述初始半导体衬底上沉积出第一阻挡层，所述第一阻挡层覆盖所述初始半导体衬底；按照预设蚀刻条件对所述第一沟道对应的凹槽蚀刻成至少去除底部的第一阻挡层的第二沟道，以得到待沉积衬底；按照第二沉积条件在所述待沉积衬底上沉积出第二阻挡层，以得到覆盖介质层和第二沟道的目标阻挡层；其中，所述第一沉积条件和所述预设蚀刻条件均用于限制所述第二沟道的规格，以提升金属互连器件的电迁移性能。
主权项：1.一种金属互连器件的阻挡层制备方法，其特征在于，所述方法包括：获取初始半导体衬底，所述初始半导体衬底包括位于金属互连器件的器件层上的介质层中的第一沟道；按照第一沉积条件在所述初始半导体衬底上沉积出第一阻挡层，所述第一阻挡层覆盖所述初始半导体衬底；按照预设蚀刻条件对所述第一沟道对应的凹槽蚀刻成至少去除底部的第一阻挡层的第二沟道，以得到待沉积衬底；按照第二沉积条件在所述待沉积衬底上沉积出第二阻挡层，以得到覆盖介质层和第二沟道的目标阻挡层；其中，所述第一沉积条件和所述预设蚀刻条件均用于限制所述第二沟道的规格，以提升金属互连器件的电迁移性能。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 一种金属互连器件的阻挡层制备方法
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