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摘要：本发明提供一种湿法蚀刻方法，属于集成电路制造领域。本发明的湿法蚀刻方法包括：半导体组件形成步骤：在晶圆的半导体衬底上形成半导体组件；蚀刻液更换步骤：更换酸槽中的蚀刻液；以及蚀刻步骤：通过导管将酸槽中的蚀刻液引导至喷头，并通过喷头将蚀刻液喷洒至晶圆的表面，同时平台带动晶圆旋转，从而对半导体组件进行蚀刻，在半导体组件上形成接触孔洞；以及关键孔洞形成步骤：在接触孔洞中填充多晶硅，形成钥匙孔，并通过钥匙孔形成关键孔洞；根据关键孔洞的直径确定蚀刻步骤中的蚀刻时间，并且蚀刻时间为固定值。通过本发明的湿法蚀刻方法，能够确保在不同时间制造的产品的关键孔洞的CD都不超出规格范围，从而提高产品的良率和性能。
主权项：1.一种湿法蚀刻方法，其特征在于，所述湿法蚀刻方法使用的湿法蚀刻装置100包括：腔室1，设置在所述腔室1底部的用于放置晶圆2的平台3，设置在所述腔室1顶部的用于向所述晶圆2喷洒蚀刻液的喷头4，设置在所述腔室1之外的用于存放所述蚀刻液的酸槽5，连接所述喷头4和所述酸槽5的导管6，以及设置在所述平台3周围的废液收集部件7，所述湿法蚀刻方法包括：半导体组件形成步骤：在所述晶圆2的半导体衬底10上形成半导体组件20；蚀刻液更换步骤：更换所述酸槽5中的所述蚀刻液；蚀刻步骤：通过所述导管6将所述酸槽5中的所述蚀刻液引导至所述喷头4，并通过所述喷头4将所述蚀刻液喷洒至所述晶圆2的表面，同时所述平台3带动所述晶圆2旋转，从而对所述半导体组件20进行蚀刻，在所述半导体组件20上形成接触孔洞16；以及关键孔洞形成步骤：在所述接触孔洞16中填充多晶硅，形成钥匙孔，并通过所述钥匙孔形成关键孔洞；根据所述关键孔洞的直径确定所述蚀刻步骤中的蚀刻时间t，并且所述蚀刻时间t为固定值。
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