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摘要：本发明公开一种环绕柱状沟道结构半导体纳米线场效应晶体管，包括衬底，源极半导体，漏极半导体，沟道半导体，栅极结构。源极半导体和漏极半导体通过隔离介质连接，形成源漏极，沟道半导体环绕包裹源极半导体和漏极半导体和隔离介质，形成环绕柱状沟道结构，栅极结构环绕包裹柱状沟道。本发明旨在通过全新的沟道结构设计，实现在相同沟道长度下，晶体管得以进一步微缩，从而减小器件寄生电容和寄生电阻，减少信号传播延迟，有助于提高器件的速度和性能，提高芯片的单片集成密度，同时降低芯片功耗。
主权项：1.一种环绕柱状沟道结构半导体纳米线场效应晶体管，包括源极半导体、漏极半导体和沟道半导体；其特征在于：所述源极半导体、漏极半导体之间设置一绝缘隔离介质，且所述源极半导体、漏极半导体和隔离介质组合形成纳米线结构；源极半导体连接源极，漏极半导体连接漏极；所述沟道半导体具有套管结构，包覆于所述纳米线结构外侧；所述栅极具有套管结构，包覆于所述沟道半导体外侧。
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百度查询： 浙江大学 一种环绕柱状沟道结构半导体纳米线场效应晶体管及CMOS器件
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