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摘要：本发明提供了一种降低电子层界面缺陷的钙钛矿太阳电池及制备方法。以SnO2为原料，制备SnO2电子传输层；接着以GAMSA为原料，制备GAMSA修饰层；然后以PbI2、PbCl2、CsI、FAI、MACl和MABr为原料，通过两步法在空气中旋涂制备了钙钛矿活性层；接着以spiro‑OMeTAD、tBP和Li‑TFSI为原料旋涂制备空穴传输层；最后通过磁控溅射制备Ag电极，完成电池制备。制备得到的钙钛矿太阳能电池最高光电转换效率达到22.42％,并且能显著降低电子层界面缺陷，制备过程稳定，器件具有长期稳定性，有效抑制钙钛矿层降解，这将大大缩减钙钛矿太阳能的制造成本，同时提高钙钛矿太阳能电池光电转化效率，这对于钙钛矿太阳能电池的低成本大规模商业生产具有重要意义。
主权项：1.一种降低电子层界面缺陷的钙钛矿太阳电池及其制备方法，主要包括：室温条件下对ITO玻璃进行清洗；取SnO2分散液，加入up水，超声，结束后用尼龙头过滤，过滤的SnO2水溶液铺满FTO导电基底，旋涂，退火，制得电子传输层；称取GAMASA粉末溶解在去离子水中，配置成不同浓度的水溶液，同时将涂有SnO2的FTO玻璃基片进行紫外臭氧处理，将配置好的GAMASA水溶液旋涂在FTO导电基底上，退火，制得GAMASA修饰层；称取PbI2、PbCl2、CsI加入DMF和DMSO，加热搅拌过夜，得到淡黄色的PbI2前驱体溶液；称取FAI、MABr、MACl加入IPA溶剂，常温搅拌得到澄清的FAI前驱体溶液；移取PbI2前驱体溶液涂覆于FTOSnO2GAMSA基底上，旋涂，退火，冷却后，取FAI前驱体溶液滴加在基底上，旋涂，退火，得到黑色的钙钛矿层；取Li-TFSI溶于乙腈中，常温搅拌备用，取Spiro-OMeTAD，加入氯苯CB溶液、Li-TFSI溶液、四叔丁基吡啶溶液，常温搅拌，制得空穴传输层溶液；用移液枪移取该溶液，旋涂，氧化，以制备空穴传输层；真空磁控溅射制备Ag电极。
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百度查询： 西南石油大学 一种降低电子层界面缺陷的钙钛矿太阳电池及制备方法
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