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摘要：本发明涉及一种测量β平面源表面吸收剂量率的电离室，包括：室壁环、绝缘压环、绝缘支撑环、导电薄膜、保护环、收集极、后壳、绝缘背环组件、中心导电柱及保护盖，所述后壳及所述保护盖分别设置于所述室壁环的两端，所述绝缘压环及所述绝缘支撑环设置于所述室壁环与所述保护盖之间，所述导电薄膜形成入射窗，所述绝缘背环组件位于所述室壁环靠近所述后壳的一面，且与所述室壁环连接，用于固定所述中心导电柱，本发明还涉及一种测量β平面源表面吸收剂量率的电离室的使用方法，采用一种测量β平面源表面吸收剂量率的电离室及使用方法，可更换绝缘环的厚度来改变电离室的极间距，可更换不同直径的收集极适配不同尺寸的β平面源。
主权项：1.一种测量β平面源表面吸收剂量率的电离室，其特征在于，包括：室壁环、绝缘压环、绝缘支撑环、导电薄膜、保护环、收集极、后壳、绝缘背环组件、中心导电柱及保护盖，所述后壳及所述保护盖分别设置于所述室壁环的两端，所述绝缘压环及所述绝缘支撑环同心设置于所述室壁环与所述保护盖之间，且皆与所述室壁环连接，所述绝缘压环的内环直径大于所述绝缘支撑环的外环直径；所述导电薄膜覆盖于所述绝缘支撑环靠近所述保护盖的一面上形成入射窗，且其边缘延伸至所述绝缘压环与所述室壁环之间，并在施加电压后形成高压极；所述室壁环靠近所述保护盖的一面上开设有阶梯槽，所述保护环设置于所述阶梯槽内，所述收集极位于所述阶梯槽内，与所述保护环之间存在间隙，且与所述保护环的高度平齐；所述绝缘背环组件位于所述室壁环靠近所述后壳的一面，且与所述室壁环连接，用于固定所述中心导电柱，并使所述中心导电柱与所述收集极接触。
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百度查询： 中国辐射防护研究院 一种测量β平面源表面吸收剂量率的电离室及使用方法
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