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摘要：本发明公开一种双预存储场序显示像素电路及其制备方法，包括预存储单元、驱动单元和复位单元；所述预存储单元包括第一晶体管、第一预存储电容和第二预存储电容；所述第一晶体管的第二源漏极与第一预存储电容的一端和第二预存储电容的一端耦接。本发明达到的有益效果是：通过共极板的上下两层夹心设计，将第一预存储电容和第二预存储电容并联，实现在垂直方向电容部分重叠从而缩小面积的，由此提高像素电路的开口率。
主权项：1.一种双预存储场序显示像素电路，其特征在于：包括预存储单元、驱动单元和复位单元；所述预存储单元包括第一晶体管（T1）、第一预存储电容（Cs1-1）和第二预存储电容（Cs1-2）；所述第一晶体管（T1）的第一源漏极与数据信号线（Data）耦接，第一晶体管（T1）的栅极用于接收行栅信号（Scan），第一晶体管（T1）的第二源漏极与第一预存储电容（Cs1-1）的一端和第二预存储电容（Cs1-2）的一端耦接；所述驱动单元包括第二晶体管（T2）、保持电容（Cs2）和像素电极（Clc）；所述第二晶体管（T2）的第一源漏极与第一晶体管（T1）的第二源漏极耦接，第二晶体管（T2）的栅极用于接收转移信号（Tran），第二晶体管（T2）的第二源漏极与像素电极（Clc）的一端耦接；所述像素电极（Clc）的另一端耦接至第一公共信号线（Com1）；保持电容（Cs2）的一端与第二晶体管（T2）的第二源漏极耦接，保持电容（Cs2）的另一端耦接至第一公共信号线（Com1）；所述复位单元包括第三晶体管（T3），所述第三晶体管（T3）的第一源漏极与第二晶体管（T2）的第二源漏极耦接，第三晶体管（T3）的栅极用于接收复位信号（Reset），第三晶体管（T3）的第二源漏极耦接至参考信号线（Vref）。
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