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摘要：本发明涉及薄膜材料领域，公开了一种利用液相外延制备稀土掺杂钇铁石榴石薄膜的方法，包括以下步骤：称取Gd2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3和助熔剂投入铂金坩埚中熔化得到熔体；清洗基片；将清洗后的基片放入经过降温已处于过饱和亚稳定态的熔体中，采用液相外延法生长薄膜，生长温度为700~900℃，基片转速为30~80rpm，生长时间为5~10h，生长完成后，清洗去除残留，本发明采用无铅液相外延工艺，以钙镁锆掺杂钆镓石榴石为基片，B2O3、Bi2O3和V2O5为助熔剂，采用合适氧化物配比，控制生长温度、基片转速和生长时间制备薄膜。
主权项：1.一种利用液相外延制备稀土掺杂钇铁石榴石薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、称取Gd2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3氧化物原料和助熔剂混合均匀后投入铂金坩埚中，在1050~1200℃下熔化12~24h，然后搅拌8~12h混合均匀得到熔体；S2、清洗基片；S3、将清洗后的基片固定在基片架上，基片表面与熔体液面形成角度倾斜，然后将基片缓慢放入经过降温已处于过饱和亚稳定态的熔体中，采用液相外延法生长薄膜，生长温度为700~900℃，基片转速为30~80rpm，生长时间为5~10h，生长完成后，清洗去除残留，得到稀土掺杂钇铁石榴石薄膜；所述步骤S1中助熔剂为B2O3、Bi2O3和V2O5，所述B2O3为氧化物原料和助熔剂总质量的0.5~10%，所述Bi2O3为氧化物原料和助熔剂总质量的40~60%，所述V2O5为氧化物原料和助熔剂总质量的0.05~0.1%。
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