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摘要：本公开内容的方面提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括面对面键合的第一管芯和第二管芯。第一管芯包括：在半导体部分中的在第一管芯的正面侧上形成的第一晶体管、和布置在半导体部分外部的绝缘部分中的至少一个接触结构。第二管芯包括衬底和在第二管芯的正面侧上形成的第二晶体管。此外，半导体器件包括布置在第一管芯的背面侧上的第一焊盘结构，并且第一焊盘结构与所述接触结构导电耦合。所述接触结构的端部从绝缘部分突出到第一焊盘结构中。此外，在一些实施例中，半导体器件包括布置在第一管芯的背面侧上并且与半导体部分导电连接的连接结构。
主权项：1.一种半导体器件，其包括：第一管芯和第二管芯，所述第一管芯包括半导体部分、形成在所述半导体部分的正面侧上的第一晶体管、与所述半导体部分导电耦合的公共源极层、以及布置在所述半导体部分外部的绝缘部分中的至少两个接触结构，所述第二管芯包括衬底和在所述第二管芯的正面侧上形成的第二晶体管，其中，所述第一晶体管从所述公共源极层延伸穿出而未穿透所述半导体部分，其中，所述垂直存储单元串在所述半导体部分中包括氮化硅；至少一个第一焊盘结构，其布置在所述第一管芯的背面侧上并且与至少两个所述接触结构导电耦合，所述接触结构的端部从所述绝缘部分突出到所述第一焊盘结构中；以及连接结构，其布置在所述第一管芯的所述背面侧上，并且与所述半导体部分导电连接。
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百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体器件的焊盘结构
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