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摘要：公开了一种具有折叠式沟道区的碳化硅功率半导体器件及其制造方法。功率半导体器件包括配置于源极金属与栅极电极之间的栅极保护电路部，所述栅极保护电路部包括：内置二极管，由第一传导型离子注入区和第二传导型离子注入区交替多级连接的方式形成于通过半导体基板的上侧表面的绝缘膜层而绝缘的多晶硅层上，其一端与所述源极金属电连接，另一端与所述栅极电极电连接；以及一个以上的浮置金属层，将所述内置二极管中相邻的第一传导型离子注入区与第二传导型离子注入区短接。
主权项：1.一种功率半导体器件，其具有平面栅极结构，其特征在于，包括配置于源极金属与栅极电极之间的栅极保护电路部，所述栅极保护电路部包括：内置二极管，由第一传导型离子注入区和第二传导型离子注入区以交替多级连接方式形成于通过半导体基板的上侧表面的绝缘膜层而绝缘的多晶硅层上，其一端与所述源极金属电连接，另一端与所述栅极电极电连接；以及一个以上的浮置金属层，将所述内置二极管中相邻的第一传导型离子注入区与第二传导型离子注入区短接，所述浮置金属层被配置成，使所述栅极保护电路部的正向保护电压与反向保护电压的大小不同。
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百度查询： 特瑞诺科技股份有限公司 具有折叠式沟道区的碳化硅功率半导体器件及其制造方法
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