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一种低杂散光的MicroLED矩阵光源及其制造方法 

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摘要:本发明公开一种低杂散光的MicroLED矩阵光源及其制造方法,该矩阵光源包括:驱动背板;光源芯片,其键合于驱动背板上,芯片包括发光外延层和对发光外延层电流扩展层加工和钝化层加工后形成的接触电极层、第一绝缘层、扩展电极层与绝缘隔离层;及若干硅基隔离墙,其设置为上宽下窄的结构,其键合于光源芯片上背离驱动背板的一侧,相邻的硅基隔离墙之间形成上窄下宽的出光口,矩阵光源的每个像素单元上方都对应有出光口。制造:利用硅衬底进行MicroLED芯片制作,将芯片与驱动背板键合,接着将硅衬底剥离后,再将芯片与刻蚀出喇叭口结构的硅基板开口面直接键合,将硅基板减薄至露出出光口形成隔离墙,最后对芯片薄膜封装和模组封装。

主权项:1.一种低杂散光的MicroLED矩阵光源,其特征在于,该MicroLED矩阵光源包括:驱动背板10;光源芯片,其键合设置于所述驱动背板10上,所述光源芯片包括:发光外延层20和对所述发光外延层20进行电流扩展层加工和钝化层加工后所形成的接触电极层24、第一绝缘层25、扩展电极层26与绝缘隔离层27;以及若干硅基隔离墙30,其设置为上宽下窄的结构,所述硅基隔离墙30键合设置于所述光源芯片上背离所述驱动背板10的一侧,相邻的硅基隔离墙30之间形成上窄下宽的出光口40,MicroLED矩阵光源的每个像素单元上方都对应有所述出光口40。

全文数据:

权利要求:

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