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摘要：本公开提供了一种离子阱芯片参数标定方法、装置、电子设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品，涉及量子计算机领域，尤其涉及离子阱芯片技术领域。实现方案为：确定离子阱芯片中的一个或多个离子各自所在的位置；对于一个或多个离子中的每个离子，执行以下操作：通过激光器照射该离子，确定激光照射到该离子后的等效振幅；基于等效振幅，确定该离子对应的π脉冲时长；以及基于π脉冲时长设置激光器的脉冲时间，并在第一预设范围内按第一预设步长改变激光器的频率，以确定声子频率、以及所子和该离子之间的耦合强度。π脉冲时长表示该离子在基态和激发态之间变换所需的激光脉冲时间。
主权项：1.一种离子阱芯片参数标定方法，包括：确定所述离子阱芯片中的一个或多个离子各自所在的位置；对于所述一个或多个离子中的每个离子，执行以下操作：通过激光器照射该离子，确定所述激光照射到该离子后的等效振幅；基于所述等效振幅，确定该离子对应的π脉冲时长，其中所述π脉冲时长表示该离子在基态和激发态之间变换所需的激光脉冲时间；以及基于所述π脉冲时长设置所述激光器的脉冲时间，并在第一预设范围内按第一预设步长改变所述激光器的频率，以确定声子频率、以及所述声子和该离子之间的耦合强度，包括：获取所述激光器的预设脉冲时间；在所述预设脉冲时间下，在所述第一预设范围内按所述第一预设步长改变所述激光器通过分束器分成的两束激光之间的频率差，以确定该离子在每个频率差下处于激发态的概率；以及基于所述每个频率差各自对应的所述概率，进行第二函数拟合，以基于拟合得到的第二函数确定所述声子频率、以及所述声子和该离子之间的耦合强度。
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百度查询： 北京百度网讯科技有限公司 离子阱芯片参数标定方法及装置、电子设备和介质
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