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摘要：本申请提供AOT场效应管制备方法及AOT场效应管，属于半导体技术领域。该方法包括：对样品的外延层注入P型杂质，形成P‑well层；在P‑well层中注入N型杂质，形成N型源区；在P‑well层中注入P型杂质，形成P+层；在P‑well层上进行沟槽蚀刻，形成栅极沟槽；其中，P+层包覆栅极沟槽的一侧拐角；在栅极沟槽中沉积栅氧化层，形成槽栅；其中，靠近P+层的栅氧化层和栅极沟槽底部的栅氧化层的厚度均大于靠近N型源区的栅氧化层的厚度；对样品进行后端工艺处理，得到AOT场效应管。通过加厚沟槽一侧的栅氧化层，并使P+层包覆槽栅的一侧拐角以保护槽栅，提高了栅氧化层的可靠性和场效应管的抗短路能力。

主权项：1.一种AOT场效应管制备方法，其特征在于，所述方法包括：对样品的外延层注入P型杂质，形成P-well层；在所述P-well层中注入N型杂质，形成N型源区；在所述P-well层中注入P型杂质，形成P+层；其中，所述P+层的掺杂浓度大于所述P-well层的掺杂浓度；在所述P+层与所述N型源区之间进行栅极沟槽蚀刻，形成栅极沟槽；其中，所述栅极沟槽的蚀刻深度小于所述P+层的杂质注入深度，所述栅极沟槽的一侧连接所述P+层，所述P+层包覆所述栅极沟槽的一侧拐角，所述栅极沟槽的另一侧连接所述N型源区；在所述P-well层的表面、所述栅极沟槽的侧壁及底部，均沉积氧化层，得到第一氧化层；通过光刻工艺在所述栅极沟槽的底部和所述栅极沟槽靠近所述P+层的一侧保留光刻胶，作为保护层；对所述第一氧化层进行蚀刻，去除没有被所述保护层覆盖的第一氧化层的区域，并去除所述保护层，得到第二氧化层；其中，所述第二氧化层位于所述栅极沟槽的底部和所述栅极沟槽靠近所述P+层的一侧；通过热生长法在所述第二氧化层上继续沉积氧化层，得到第三氧化层；所述第三氧化层的厚度等于靠近所述N型源区的栅氧化层的厚度；在所述栅极沟槽中淀积填充层以填满所述栅极沟槽；对所述栅极沟槽之外的所述第三氧化层和所述填充层进行蚀刻以得到栅氧化层和槽栅；其中，靠近所述P+层的栅氧化层和所述栅极沟槽底部的栅氧化层的厚度均大于靠近所述N型源区的栅氧化层的厚度；所述靠近所述N型源区的栅氧化层用于导通电流；对所述样品进行后端工艺处理，得到AOT场效应管。

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