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摘要：本发明公开了一种在砷化镓衬底上生长InP薄膜的方法，应用于InP薄膜制备技术领域以砷化镓为衬底生长InP薄膜，可以极大的降低InP薄膜制备时所花费的成本；使用砷化镓衬底生长GaxIn1‑xP层，当x＜0.5时，GaxIn1‑xP相对砷化镓衬底会产生压应力，再生长AlxIn1‑xP层，当x＜0.5时，AlxIn1‑xP相对砷化镓衬底会产生张应力，交替生长GaxIn1‑xP层与AlxIn1‑xP层则可以使得应力缓冲层中应力平衡从而消除应力，再逐步降低GaxIn1‑xP层中镓组分以及AlxIn1‑xP层中铝组分，可以最终趋向生长成InP层。

主权项：1.一种在砷化镓衬底上生长InP薄膜的方法，其特征在于，包括：基于砷化镓衬底生长应力缓冲层；所述应力缓冲层包括沿法线生长的应力缓冲单元，所述应力缓冲单元包括至少一层AlxIn（1-x）P层以及至少一层生长GaxIn（1-x）P层；所述应力缓冲层中所述AlxIn（1-x）P层与所述GaxIn（1-x）P层交替设置，沿所述法线指向远离所述砷化镓衬底一侧方向，多层所述AlxIn（1-x）P层之间铝组分依次降低，多层所述GaxIn（1-x）P层之间镓组分依次降低；在所述应力缓冲层背向所述砷化镓衬底一侧表面生长InP层；所述应力缓冲单元包括一所述AlxIn（1-x）P层以及一所述GaxIn（1-x）P层，组分x初始值为0.5；同一所述应力缓冲单元中所述GaxIn（1-x）P层的镓组分，与所述AlxIn（1-x）P层的铝组分相同；所述同一所述应力缓冲单元中所述GaxIn（1-x）P层的掺杂浓度与所述AlxIn（1-x）P层的掺杂浓度相同，所述GaxIn（1-x）P层的厚度与所述AlxIn（1-x）P层的厚度相同；所述基于砷化镓衬底生长应力缓冲层包括：基于砷化镓衬底，沿法线指向远离所述砷化镓衬底一侧方向，依次生长所述应力缓冲单元，形成所述应力缓冲层；在每生长一所述应力缓冲单元后，进行退火，再生长下一所述应力缓冲单元，直至形成所述应力缓冲层；沿所述法线指向远离所述砷化镓衬底一侧方向，所述GaxIn（1-x）P层中镓组分逐渐降低，所述AlxIn（1-x）P层中铝组分逐渐降低；沿所述法线指向远离所述砷化镓衬底一侧方向，所述GaxIn（1-x）P层中背向所述砷化镓衬底一侧镓的组分，与相邻GaxIn（1-x）P层中朝向所述砷化镓衬底一侧镓的组分相等；所述AlxIn（1-x）P层中背向所述砷化镓衬底一侧铝的组分，与相邻AlxIn（1-x）P层中朝向所述砷化镓衬底一侧铝的组分相等。

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