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摘要：一种集成双续流沟道的垂直型MOSFET器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括漏极、衬底、n‑‑GaN漂移层、p‑GaN层和n+‑GaN层，依次设置栅极槽一、源极槽一、源极槽二和栅极槽二；栅极槽一和栅极槽二底部均设有p‑GaN屏蔽层，p‑GaN屏蔽层顶部和槽侧壁沉积有介质层，其上蒸镀栅极；源极槽一和源极槽二内壁沉积有介质层，其上蒸镀源极；栅极槽一和源极槽一之间、源级槽二和栅极槽二之间的p‑GaN上表面设置体电极。本发明可以有效减小封装体积，消除金属互联，有效地降低系统的寄生效应，同时，Fin沟道的引入进一步降低反向沟道的开启电压，减小导通损耗。
主权项：1.一种集成双续流沟道的垂直型MOSFET器件，其特征在于，从下至上依次包括漏极、衬底、n--GaN漂移层、p-GaN层和n+-GaN层，其中，从左向右依次设置有栅极槽一、源极槽一、源极槽二和栅极槽二，栅极槽一、源极槽一、源极槽二和栅极槽二均从顶部延伸至n--GaN漂移层；所述栅极槽一和栅极槽二底部槽侧壁沉积有介质层，介质层上蒸镀有栅极；所述源极槽一和源极槽二内壁沉积有介质层，介质层上蒸镀有源极；所述栅极槽一和源极槽一之间以及源级槽二和栅极槽二之间的p-GaN上表面设置有体电极。
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