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摘要：本发明公开了一种深沟槽结构的制造方法，包括：进行第一次干法刻蚀在半导体衬底的选定区域中形成深沟槽。第一次干法刻蚀采用BOSCH刻蚀工艺且包括多次循环的沉积阶段和刻蚀阶段。各次循环中的沉积阶段和所述刻蚀阶段在深沟槽的侧壁形成循环形貌。在第一次干法刻蚀中通过同时调节沉积阶段和刻蚀阶段的工艺参数来使各层循环形貌收窄且收窄到使深沟槽的底部侧掏量降低到第一设定值以下；在沉积阶段中，通过增加沉积速率并减少沉积时间来使循环形貌收窄；在刻蚀阶段中，通过增加刻蚀柔和效果并减少刻蚀时间来使循环形貌收窄。本发明能消除深沟槽的底部侧掏缺陷，并进而在深沟槽形成后的后续填充中消除形成于侧壁底部区域的凹陷缺陷。
主权项：1.一种深沟槽结构的制造方法，其特征在于，包括：进行第一次干法刻蚀在半导体衬底的选定区域中形成深沟槽；所述第一次干法刻蚀采用BOSCH刻蚀工艺且包括多次循环的沉积阶段和刻蚀阶段；各次循环中的所述沉积阶段和所述刻蚀阶段在所述深沟槽的侧壁形成循环形貌；在所述第一次干法刻蚀中通过同时调节所述沉积阶段和所述刻蚀阶段的工艺参数来使各层所述循环形貌收窄，且各层所述循环形貌收窄到使所述深沟槽的底部侧掏量降低到第一设定值以下；在所述沉积阶段中，通过增加沉积速率并减少沉积时间来使所述循环形貌收窄；在所述刻蚀阶段中，通过增加刻蚀柔和效果并减少刻蚀时间来使所述循环形貌收窄。
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百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 深沟槽结构的制造方法
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