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摘要：本发明公开了一种基于氧化镧插层的铪基铁电晶体管，属于氧化物半导体技术领域。本发明晶体管包括基底层、栅电极层、栅介质层、氧化物半导体沟道层、源漏接触电极，栅介质层采用铪基铁电材料，通过原子层沉积工艺在氧化物半导体沟道层和铪基铁电材料层之间插入一层氧化镧介质层。本发明可以有效的控制界面质量，由于氧化镧的介电常数高于氧化铪、氧化锆、氧化铟本身，使界面电容更大有利于铁电材料获得更大的分压，可以在相同电压下获得更大的铁电极化，从而减小器件的功耗。因此，本发明可以利用氧化镧插层来改善氧化物半导体材料和铪极铁电材料界面质量，为铁电存储器件的设计与应用提供一种性能优化方案。
主权项：1.一种基于氧化镧插层的铪基铁电晶体管，该晶体管包括基底层、栅电极层、栅介质层、氧化物半导体沟道层、源漏接触电极，其特征在于，栅介质层采用铪基铁电材料，通过原子层沉积工艺在氧化物半导体沟道层和铪基铁电材料层之间插入一层氧化镧介质层。
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百度查询： 北京大学 一种基于氧化镧插层的铪基铁电晶体管
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